Общайтесь с поставщика? поставщик
tony Mr. tony
Что я могу сделать для вас?
поставщик контакта
 Номер Телефона :86-0769-81785058 Электронная Почта:tony.xu@agertech.com.cn
20В 4А СОТ-23 П-МОС
  • 20В 4А СОТ-23 П-МОС

20В 4А СОТ-23 П-МОС

    Вид оплаты: T/T
    Incoterm: FOB
    Количество минимального заказа: 10 Roll
    Срок поставки: 20 дней

Скачать:

Базовая информация

Модель: ATM2301APSA

сертификация: RoHS, CE, ISO

форма: Другие

Защитный тип: Другие

Способ охлаждения: Естественно охлажденная трубка

функция: Переключатель-транзистор

Рабочая частота: Низкая частота

Состав: плоскостной

Структура инкапсуляции: Чип-транзистор

Уровень мощности: Малая мощность

материал: кремний

Additional Info

Подробности Упаковки: Сохранная расписка

производительность: 2KK/M

марка: agertech

транспорт: Ocean

Место происхождения: Китай

Способность поставки: formal

Сертификаты : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

Код ТН ВЭД: 8541100000

Порт: Shenzhen Shekou

Описание продукта

ATM2301APSA - полевой транзистор с улучшенным P-канальным режимом, входящий в комплект SOT23. Напряжение источника стока: -20 В и ток стока: -4 А. Главной особенностью ATM2301APSA является МОП-транзистор FET Power Trench, отличная RDS ( вкл. ) И низкий заряд затвора , R DS (вкл.) <90 мОм (V GS = -4,5 В) и R DS (вкл.) <110 мОм (V GS = -2,5 В). Основное применение - преобразователь постоянного тока, переключатель нагрузки для портативных устройств, переключатель батареи.


Абсолютные максимальные оценки (Ta = 25 ℃, если не указано иное)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

-20

V

Gate-Source Voltage

VGS

±12

V

Continuous Drain Current

ID

-4

A

Pulsed Drain Current

IDM

-16

A

Power Dissipation

PD

0.83

W

Thermal Resistance from Junction to Ambient

RθJA

357

/W

Junction Temperature

TJ

150

Storage Temperature

TSTG

-55~ +150


Электрические характеристики (T A = 25 o C, если не указано иное отметил)

Parameter

Symbol

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Unit

Static Characteristics

Drain-source breakdown voltage

V(BR)DSS

VGS = 0V, ID =-250µA

-20



V

Zero gate voltage drain current

IDSS

VDS  =-16V,VGS  = 0V



-1

µA

Gate-body leakage current

IGSS

VGS  =±12V, VDS  = 0V



±100

nA

Gate threshold voltage

VGS(th)

VDS =VGS, ID =-250µA

-0.5

-0.7

-1

V

Drain-source on-resistance1)

RDS(on)

VGS = -4.5V, ID = -0.5A


70

90

mΩ

VGS  = -2.5V, ID = -0.5A


90

110

Forward transconductance1)

gFS

VDS  =-5V, ID =-2A

5



S

Dynamic characteristics2)

Input Capacitance

Ciss

 

VDS  =-10V,VGS  =0V,f =1MHz


405


pF

Output Capacitance

Coss


75


Reverse Transfer Capacitance

Crss


55


Gate resistance

Rg

f =1MHz


6


Total Gate Charge

Qg

 

VDS =-10V,VGS =-2.5V,ID=-3A


3.3

12

nC

Gate-Source Charge

Qgs


0.7


Gate-Drain Charge

Qgd


1.3


Turn-on delay time

td(on)

 

VDD=-10V,VGEN=-4.5V,ID=-1A RL=10Ω,RGEN=1Ω


11


ns

Turn-on rise time

tr


35


Turn-off delay time

td(off)


30


Turn-off fall time

tf


10


Source-Drain Diode characteristics

Diode Forward voltage

VDS

VGS  =0V, IS=-1.25A


-0.7

-1.3

V



Заметки:

1) Импульсный тест: ширина импульса <300 мкс, рабочий цикл ≤2%.

2) Гарантируется дизайном, не подлежит производству тестирование.

Field Effect Transistor






Группа Продуктов : П-канал Мосфет

Письмо этому поставщику
  • Mr. tony
  • Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов

Related Products List

Главная

Phone

Skype

Запрос