Общайтесь с поставщика? поставщик
tony Mr. tony
Что я могу сделать для вас?
поставщик контакта
 Номер Телефона :86-0769-81785058 Электронная Почта:tony.xu@agertech.com.cn
Главная > Перечень Продуктов > Н Канал Мосфет > МОП-транзистор 650V 7A TO-220F N
МОП-транзистор 650V 7A TO-220F N
  • МОП-транзистор 650V 7A TO-220F N

МОП-транзистор 650V 7A TO-220F N

    Вид оплаты: T/T
    Incoterm: FOB
    Количество минимального заказа: 10 Roll
    Срок поставки: 20 дней

Скачать:

Базовая информация

Модель: ATM7N65TF

сертификация: RoHS, CE, ISO

форма: Другие

Защитный тип: Другие

Способ охлаждения: Другие

функция: Транзистор с высоким обратным давлением

Рабочая частота: Низкая частота

Состав: плоскостной

Структура инкапсуляции: Пластиковый герметичный транзистор

Уровень мощности: Средняя мощность

материал: кремний

Additional Info

Подробности Упаковки: Сохранная расписка

производительность: 3KK/M

марка: agertech

транспорт: Ocean

Место происхождения: Китай

Способность поставки: formal

Сертификаты : ISO9001,ISO16949,ISO14001,ISO18001,QC080000

Код ТН ВЭД: 8541100000

Порт: Shenzhen Shekou

Описание продукта

ATM7N65TF - это высоковольтные транзисторы с эффектом поля мощности в N-канальном улучшенном режиме, разработанные для минимизации сопротивления включенного состояния, превосходных характеристик переключения и выдерживания импульса высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Этот мощный МОП-транзистор хорошо подходит для высокоэффективного импульсного источника питания.

ФУНКЦИИ:


  • RDS (ВКЛ) = 1,4 Ом @ VGS = 10 В
  • Сверхнизкий заряд затвора (типичный 28 нК)
  • Низкая обратная емкость передачи (CRSS = типичная 12 пФ)
  • Возможность быстрого переключения
  • Лавина проверена на энергию
  • Улучшенные возможности DV / DT, высокая прочность


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25 ° C, если не указано иное)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS = 0V, ID = 250μA

650

 

 

V

Drain-Source Leakage Current

IDSS

VDS = 650V, VGS = 0V

 

 

10

µA

Gate-Source Leakage Current

Forward

IGSS

VGS = 30 V, VDS = 0 V

 

 

100

nA

 

Reverse

 

VGS = -30 V, VDS = 0 V

 

 

-100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VDS = VGS, ID = 250μA

2.0

 

4.0

V

Static Drain-Source On-State Resistance

RDS(ON)

VGS = 10V, ID =3.5A (Note 4)

 

1.05

1.4

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

CISS

 

VDS=25V, VGS=0V, f=1.0 MHz

 

950

1430

pF

Output Capacitance

COSS

 

 

85

130

pF

Reverse Transfer Capacitance

CRSS

 

 

12

18

pF

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

tD(ON)

 

VDD=325V, ID =7A, RG =25Ω (Note 1, 2)

 

16

 

ns

Turn-On Rise Time

tR

 

 

60

 

ns

Turn-Off Delay Time

tD(OFF)

 

 

80

 

ns

Turn-Off Fall Time

tF

 

 

65

 

ns

Total Gate Charge

QG

 

VDS=520V, ID=7A, VGS=10 V (Note 1, 2)

 

28

42

nC

Gate-Source Charge

QGS

 

 

5.5

8.3

nC

Gate-Drain Charge

QGD

 

 

11

17

nC

DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS = 0V, IS = 7A

 

 

1.4

V

Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current

IS

 

 

 

7

A

Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current

ISM

 

 

 

28

A

Reverse Recovery Time

trr

VGS = 0V, IS =7A,

dIF / dt = 100A/μs (Note 1)

 

365

 

ns

Reverse Recovery Charge

QRR

 

 

4.23

 

µC


N Channel Transistor



Группа Продуктов : Н Канал Мосфет

Письмо этому поставщику
  • Mr. tony
  • Ваше сообщение должно быть в пределах 20-8000 символов

Related Products List

Главная

Phone

Skype

Запрос